Что такое PoX
PoX расшифровывается как Phase-Change Oxide. Структура чипа отличается от широко распространенной сейчас динамической оперативной памяти.
Вместо кремния для их создания применяется двухмерный графен Дирака, который пропускает электрические заряды значительно быстрее и свободнее. С помощью функциональных особенностей материала повышается скорость обработки данных.
Еще одно нововведение — 2D-суперинжекция. За счет нее ускоряется поступление заряда на накопительный уровень памяти. При этом устраняются практически все факторы, ограничивающие скорость процесса. В результате заряд двигается на порядок быстрее, чем в случае с классической DRAM.
Для проведения сложных производственных манипуляций ученые использовали алгоритмы искусственного интеллекта. PoX уже имеет действующий прототип. Также разработчики провели проверки на производственной линии. Ввиду этого массовый выпуск инновационного чипа возможен в ближайшем будущем.
Чем PoX отличается от аналогов
Распространенные на сегодняшний день виды памяти по характеристикам делятся на две категории.
Энергонезависимые. Сохраняют информацию при отключении питания, но работают медленно. К этой категории относится флеш-память в твердотельных накопителях.
Энергозависимые. Работают быстрее, но данные на них сохраняются лишь при постоянном доступе к электропитанию. Если прекратить его, информация стирается. В категорию входят DRAM и SRAM.
Phase-Сhange Oxide объединила преимущества обеих категорий, приумножив их. Новый вид флеш-памяти не требует постоянного доступа к электропитанию для сохранения данных. При этом ему свойственно низкое потребление энергии, что повышает общую эффективность работы крупных дата-центров и мобильных девайсов.
В работе PoX может развивать скорость записи и считывания данных до 400 пикосекунд. Это 400 триллионных долей секунды, что в несколько тысяч раз быстрее, чем у лучших моделей DRAM.
Создатели чипа заявляют, что он решает одну из ключевых проблем при работе с искусственным интеллектом — необходимость тратить большую часть энергии на перенос данных. ИИ-системы расходуют порядка 80 % ресурсов на операции, не связанные напрямую с вычислениями. PoX устраняет этот недочет.
Какие перспективы открывает новый вид флеш-памяти
Phase-Change Oxide — малогабаритный функциональный чип, который можно интегрировать в большинство девайсов для работы с ИИ, включая смартфоны и ПК. Благодаря технологии решаются два вопроса:
- низкая скорость обработки данных при использовании систем искусственного интеллекта;
- перегрев устройств, которые выполняют сложные энергоемкие операции.
Например, PoX на порядок повысит эффективность работы генеративного искусственного интеллекта на любых девайсах. Аккумуляторные устройства смогут дольше сохранять заряд аккумулятора за счет оптимизации энергопотребления.
На базе технологии можно разрабатывать новые виды процессоров, где вычислительные процессы и память объединяются, взаимодополняя друг друга. Разработчики Phase-Change Oxide уже сотрудничают с крупными производителями микроэлектроники. Прогнозируется, что первые устройства с инновационной флеш-памятью могут появиться уже к 2027 году.